Doctorant en modélisation et méthodes de conception hyperfréquence pour packaging avancé (H/F) > THALES > Joboolo FR :

QUI SOMMES-NOUS ?

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Dans ce cadre nous recherchons un :

Doctorant en modélisation et méthodes de conception hyperfréquence pour packaging avancé (H/F)
Basé à Palaiseau (91) – CDD 36 mois

QUI ETES-VOUS ?

• De formation Bac+5 en école d’ingénieur ou formation équivalente, votre formation vous a permis d’acquérir des compétences solides dans le domaine de l’électronique hyperfréquence ?




• De plus vous avez acquis des connaissances solides dans les domaines suivants :
  
  

  
  

  • Hyperfréquence, paramètre [S]

  
  

  • Abaque de Smith

  
  

  • Caractérisations hyperfréquences




• Vous êtes de nature curieuse, raison qui vous pousse à continuer en recherche ?




• Vous êtes persévérant et rigoureux dans votre travail ?




• Enfin vous êtes à l’aise en anglais et en français ?

Une connaissance dans les domaines suivants :

Electromagnétisme (Outils de simulation / conception :

ADS, RFPro/EMPro, HFSS), Connaissances en packaging des circuits hyperfréquences serait un plus significatif.

Vous vous reconnaissez ? Alors découvrez votre futur sujet de thèse !

CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :

II-V Lab, laboratoire de recherche industriel en technologie et composants semi-conducteur III-V, implanté sur le plateau de Saclay en région parisienne dont le capital est détenu par Nokia, Thales et le CEA LETI, propose une thèse portant sur sur l’étude par simulations électriques, électromagnétiques et thermiques de fonctions hyperfréquences de puissance à fort niveau d’intégration de type SiP (System in Package).

Au sein du III-V Lab, vous intégrez l’équipe du programme GaN RF en charge des caractérisations, modélisations et conceptions des circuits Hyperfréquences.

Les deux premières années se dérouleront sur le site de l'université de Limoges, laboratoire XLIM, sur le site de Brive la Gaillarde, la dernière année de la thèse sera effectuée dans les locaux de III-V Lab à Palaiseau.

Une première partie sera consacrée à l’état de l’Art du domaine en particulier les types de circuits hyperfréquences utilisés dans les modules RF de puissance, les types de packaging permettant un fort niveau d’intégration 2D et 3D, les spécificités des fonctions et circuits RF de puissance.

La bande de fréquence visera à couvrir l’ensemble du spectre par les composants à base de nitrure de Gallium (GaN) aujourd’hui, c’est à dire depuis les basses fréquences jusqu’à ~100 GHz en recherche et développement.

Dans ce contexte, vos missions seront les suivantes :

• Analyse de la propagation du signal hyperfréquence par simulations électromagnétiques entre plusieurs interfaces :
  
  

  
  

  • PCB (Printed Circuit Board) vers boitier et niveau de redistribution (RDL)

  
  

  • RDL vers circuits intégrés

  
  

  • Connexions entre circuits au travers le niveau de redistribution,




• Recherche de transitions hyperfréquences les plus larges bandes possibles entre les différentes interfaces traversées pour le signal.




• Analyse de différentes architectures de report des circuits dans le boitier :
  
  circuits intégrés face up, face down, utilisation d’interposeurs..
  
  .
  
  

Il sera nécessaire de définir une méthodologie de simulations et de co-conception entre le circuit MMIC et package qui nécessitent des outils de conception différents (simulateurs de type circuit hyperfréquence et simulateurs électromagnétiques).

Des mesures hyperfréquences sur les éléments de tests simple pourront servir à valider les simulations effectuées.

Pour une analyse comparative des différentes architectures de report, un cas typique devra probablement être défini.

Compte tenu que l’étude portera sur des circuits de puissance RF, le recours à des analyses thermiques pourra être nécessaire.

La thèse possède donc un caractère multi-physique nécessitant de développer des compétences en caractérisations et simulations de circuits hyperfréquences, simulations électromagnétiques et simulations thermiques.

Thales s’engage pour l’emploi et l’insertion des personnes en situation de handicap.

A ce titre, notre établissement Thales Research&Technology France est reconnu Organisme Handi-Accueillant

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Chez Thales, nous sommes fiers de travailler ensemble pour imaginer des solutions innovantes qui contribuent à construire un avenir plus sûr, plus vert et plus inclusif.

Un avenir de confiance.

Mais ces technologies ne viennent pas de nulle part.

L'intelligence humaine est le moteur derrière la technologie qui fait la renommée de Thales.

Les projets que nous conduisons sont complexes et nos clients exigeants.

Pour répondre aux besoins actuels et futurs de nos clients, nous maîtrisons plus d’une centaine de disciplines, de l’optique à la physique quantique, du traitement du signal à la connectivité et à l’intelligence artificielle.

Rejoindre Thales, c’est repousser les limites de la technologie et la mettre au service du progrès et du développement durable de nos sociétés.

C’est donc être au cœur d’une formidable aventure technique.

Une attention portée à l’équilibre des collaborateurs au service de leur réussite.

C’est pourquoi, notamment, nous nous efforçons de créer un environnement de travail accueillant et d’accorder la flexibilité nécessaire à l’équilibre entre vie professionnelle et vie personnelle.

Nous savons que cet équilibre est essentiel à votre épanouissement et à la réussite des projets que nous vous confierons.

Des parcours professionnels riches.

Chez Thales, nous jouons collectif.

Ce qui signifie travailler en équipe, côtoyer des experts et donc apprendre et développer ses compétences en permanence tout en faisant bénéficier le Groupe de son savoir-faire.

C’est aussi la possibilité d’évoluer, de changer de fonction ou d’activité, voire de pays.